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| 以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究 | |
| 引用本文： | 张新安,张景文,张伟风,王东,毕臻,张杰,侯洵. 以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究[J]. 功能材料, 2008, 39(7) |
| 作者姓名： | 张新安 张景文 张伟风 王东 毕臻 张杰 侯洵 |
| 作者单位： | 1. 西安交通大学,陕西省信息光子技术重点实验室,陕西,西安,710049;河南大学,物理与电子学院,河南,开封,475001 2. 西安交通大学,陕西省信息光子技术重点实验室,陕西,西安,710049 3. 河南大学,物理与电子学院,河南,开封,475001 |
| 摘 要： | 采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT).用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征.在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关比为5×103,电子的场迁移率达到0.61cm2/(V·s).在以ITO玻璃为衬底的透明ZnO-TFT中,分别采用了SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作为绝缘层,实验表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的c轴择优取向,透明ZnO-TFT在可见光波段的平均透过率达到85%. |
| 关 键 词： | ZnO 薄膜 薄膜晶体管 绝缘层 光学透过率 |
The fabrication of thin film transistors with ZnO as active channel layer |
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| ZHANG Xin-an,ZHANG Jing-wen,ZHANG Wei-feng,WANG Dong,BI Zhen,ZHANG Jie,HOU Xun. The fabrication of thin film transistors with ZnO as active channel layer[J]. Journal of Functional Materials, 2008, 39(7) | |
| Authors: | ZHANG Xin-an ZHANG Jing-wen ZHANG Wei-feng WANG Dong BI Zhen ZHANG Jie HOU Xun |
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| Keywords: | |
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