首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

CMOS IC抗闩锁能力的提高及闩锁能力的恒定
引用本文:王建民,邓敏坚.CMOS IC抗闩锁能力的提高及闩锁能力的恒定[J].半导体技术,1986(1).
作者姓名:王建民  邓敏坚
作者单位:常州半导体厂 (王建民),常州半导体厂(邓敏坚)
摘    要:本文提出CMOS IC闩锁模式,较为详细地讨论了出现闩锁现象的整个过程,并以此提出改进方法以及如何恒定CMOS IC的抗闩锁能力,其结论为:注入电流在30~50mA以上时,CMOS电路一般不会出现闩锁现象.

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号