CMOS IC抗闩锁能力的提高及闩锁能力的恒定 |
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引用本文: | 王建民,邓敏坚.CMOS IC抗闩锁能力的提高及闩锁能力的恒定[J].半导体技术,1986(1). |
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作者姓名: | 王建民 邓敏坚 |
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作者单位: | 常州半导体厂
(王建民),常州半导体厂(邓敏坚) |
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摘 要: | 本文提出CMOS IC闩锁模式,较为详细地讨论了出现闩锁现象的整个过程,并以此提出改进方法以及如何恒定CMOS IC的抗闩锁能力,其结论为:注入电流在30~50mA以上时,CMOS电路一般不会出现闩锁现象.
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