CMOS IC抗闩锁能力的提高及闩锁能力的恒定期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

CMOS IC抗闩锁能力的提高及闩锁能力的恒定

作者姓名：	王建民邓敏坚

作者单位：	常州半导体厂(王建民)，常州半导体厂(邓敏坚)

摘要：	本文提出CMOS IC闩锁模式,较为详细地讨论了出现闩锁现象的整个过程,并以此提出改进方法以及如何恒定CMOS IC的抗闩锁能力,其结论为:注入电流在30～50mA以上时,CMOS电路一般不会出现闩锁现象.
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