|
|||||
|
|
| 基于SOI-0.18 μm高PAE CMOS Class-E功率放大器北大核心CSCD | |
| 作者姓名： | 郑岩 李志强 刘昱 黄水龙 张海英 |
| 作者单位： | 1.中国科学院微电子研究所100029;2.新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室100029;3.中国科学院大学100049; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61404166) |
| 摘 要： | 基于IBM SOI-0.18μm CMOS工艺,实现了高PAE的Class-E功率放大器.此放大器由两级构成.在输出级采用了负电容技术,抵消寄生电容,提高效率.输出级的共栅管采用自偏置,防止晶体管被击穿.驱动级采用Class-E结构,使得输出级能更好地实现开与关.两级之间使用了改善输出级电压和电流交叠的网络.通过使用这些技术,在2.8V电源电压下,功率放大器工作在2.4GHz的时候,输出功率为23.44dBm,PAE为58.99%. |
| 关 键 词： | PAE Class-E功率放大器 输出级 驱动级 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |