| Nd^(3+)掺Na_(0.25)K_(0.25)Bi_(2.5)Nb_2O_9压电陶瓷的结构与性能EI北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 罗雨涵江向平陈超涂娜陈云婧江兴安.Nd^(3+)掺Na_(0.25)K_(0.25)Bi_(2.5)Nb_2O_9压电陶瓷的结构与性能EI北大核心CSCD[J].硅酸盐学报,2017(3):346-353. |
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| 作者姓名： | 罗雨涵江向平陈超涂娜陈云婧江兴安 |
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| 作者单位： | 1.景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院江西省先进陶瓷材料重点实验室333001; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51562014；51262009)；江西省自然科学基金(20133ACB20002；20142BAB216009)；江西省高等学校"先进陶瓷材料"科技创新团队；江西省教育厅科技项目(GJJ150911；GJJ150931；GJJ150933)资助 |
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| 摘 要： | 采用固相法制备Na_(0.25)K_(0.25)Bi_(2.5–x)Nd_xNb_2O_9(NKBN–xNd^(3+),0≤x≤0.40,x为摩尔分数)铋层状无铅压电陶瓷,研究了不同Nd^(3+)掺杂量对NKBN–x Nd陶瓷显微结构、电学性能的影响及NKBN–0.20Nd^(3+)陶瓷高温下的电导行为。结果表明:所有样品均为单一的铋层状结构;当Nd^(3+)的掺杂量x为0.02时,样品的晶粒尺寸减小并趋于均匀,致密度提高;适量的Nd^(3+)掺杂能降低样品的介电损耗,提高NKBN陶瓷的压电常数d33。NKBN–0.20Nd^(3+)陶瓷样品的电学性能最佳:压电常数d_(33)=24 p C/N,机械品质因数Q_m=2 449,tanδ=0.40%,2P_r=1.11μC/cm^2。NKBN–0.20Nd^(3+)样品的阻抗谱表明:在高温区域陶瓷的晶粒对电传导起主要作用,当温度高于600℃时,样品主要表现为本征电导,NKBN–0.20Nd^(3+)和NKBN的电导活化能分别为1.85和1.64 e V。
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| 关 键 词： | 铋层状 压电陶瓷 Raman光谱 阻抗谱 |
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