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| MgAl_2O_4绝缘性的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 李俊锋 罗怡韵 何海英 李庆青 偰正才 |
| 作者单位： | 1.深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室518060;2.深圳技术大学新材料与新能源学院518118;3.佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院528000; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(No.10974136)；深圳市重点实验室提升项目(No.JCYJ20130408172903817)；深圳技术大学科研启动项目 |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论的第一性原理研究了存在本征空位和间隙缺陷的MgAl_2O_4体系。缺陷形成能的结果表明,O_(i4)和V_O分别在富氧(O-rich)和缺氧(O-poor)条件下的形成能最低,两者均在体系中引入深能级,无法增强MgAl_2O_4的导电性。电子结构的结果表明,O_(i4)在价带顶和导带底均引入能级,V_O在禁带中引入深能级,分别存在这两种本征缺陷的MgAl_2O_4依然保持良好的绝缘性。 |
| 关 键 词： | 第一性原理 MgAl2O4 缺陷形成能 电子结构 |
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