| 一种全负载稳定的高PSRR LDO的设计北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 张龙,来强涛,刘生有,郭桂良,戴宇杰.一种全负载稳定的高PSRR LDO的设计北大核心CSCD[J].微电子学与计算机,2017(2):58-62. |
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| 作者姓名： | 张龙 来强涛 刘生有 郭桂良 戴宇杰 |
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| 作者单位： | 1.南开大学电子信息与光学工程学院300071;2.中国科学院微电子研究所100029; |
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| 摘 要： | 提出了一种高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器.该低压差线性稳压器通过提高带隙基准的电源抑制比以达到提高LDO(低压差线性稳压器)低频电源纹波抑制的能力.在TSMC 0.18μm CMOS工艺下进行了仿真验证,仿真结果表明,该LDO最大负载电流可以达到80mA,当负载电流在0~80mA范围内变化时,开环相位裕度均大于64°,证明了低压差线性稳压器的高稳定性.当负载电流从0mA跳变到80mA时,系统的输出电压过冲仅为15mV,环路响应时间仅为0.5μs.当负载电流为80mA,测得10kHz时的电源纹波抑制比为-60.82dB,100kHz时LDO的电源纹波抑制比为-57.66dB.
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| 关 键 词： | 线性稳压器 电源纹波抑制比 片上系统 |
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