| 0.5μm高速BiCMOS的工艺研究 |
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| 引用本文： | 程超,海潮和,孙宝刚.0.5μm高速BiCMOS的工艺研究[J].微电子学与计算机,2005,22(1):133-135. |
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| 作者姓名： | 程超 海潮和 孙宝刚 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 报道了一套先进的0.5μm高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺.工艺中采用了先进的深槽隔离技术、选择性集电极注入(SIC)技术、使用自对准Si3N4/SiO2复合侧墙作为E-B结的隔离、用低能氟化硼取代硼注入基区形成超薄内基区.通过优化BiCMOS制作工艺,最终制作出了性能优良的高速BiCMOS器件.
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| 关 键 词： | BiCMOS工艺 SIC技术 Si3N4/SiO2复合侧墙 超薄内基区 |
| 文章编号： | 1000-7180(2005)01-133-03 |
| 修稿时间： | 2004年3月9日 |
A Study of 0.5μm High Speed BiCMOS Technology |
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| CHENG Chao,HAI Chao-he,SUN Bao-gang.A Study of 0.5μm High Speed BiCMOS Technology[J].Microelectronics & Computer,2005,22(1):133-135. |
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| Authors: | CHENG Chao HAI Chao-he SUN Bao-gang |
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| Abstract: | An advanced high speed BiCMOS fabrication technology is presented. Some advanced technology is adopted including deep trench isolation, SIC, self-aligned Si3N4/SiO2 composite sidewall as Emitter-Base junction isolation and ultra-thin interior base formed by BF2 implantation. Finally a good device electrical performance is achieved by optimizing BiCMOS fabrication process. |
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| Keywords: | BiCMOS SIC Si3N4 /SiO2 composite sidewall Ultra-thin interior base |
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