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| 铱硅(IrSi)肖特基势垒红外探测器 | |
| 摘 要： | 除Pd_2Si、PtSi肖特基势垒红外探测器外,最近几年又发展了一种新型的IrSi肖特基势垒红外探测器。据1982年《Trans.IEDM》报导:IrSi肖特基势垒红外探测器,势垒高度小于0.16eV(P—Si),工作温度45～65K。其有用波长已超出了早期Pd_2Si、PtSi肖特基势垒红外探测器达到的1～5μm极限,IrSi探测器由于 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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