一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术 |
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作者姓名: | 叶甜春 李博 刘凡宇 李多力 李彬鸿 陈思远 |
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作者单位: | 1. 中国科学院微电子研究所;2. 中国科学院大学;3. 中国科学院硅器件技术重点实验室 |
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基金项目: | 国家重点研发计划(2022YFB4401700);;国家自然科学基金(U22B2043,62374184); |
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摘 要: | 本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI, CSOI)器件技术。CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能。基于CSOI工艺,研制出了高抗辐照4kb SRAM验证芯片。辐照实验证实,该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad(Si)、单粒子翻转阈值大于118 (MeV·cm2)/mg,达到国际先进水平,有望应用于深空探测、核应急等极端领域。
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关 键 词: | 可配置SOI 抗辐照 总剂量效应 单粒子效应 |
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