JFET区宽度对SiC MOSFET单粒子效应的影响 |
| |
作者姓名: | 许明康 贾云鹏 周新田 胡东青 吴郁 唐蕴 黎荣佳 赵元富 王亮 |
| |
作者单位: | 1. 北京工业大学信息学部;2. 北京微电子技术研究所 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金(62204011); |
| |
摘 要: | SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)关键参数——结型场效应晶体管(JFET)区宽度一直被认为是SiC MOSFET单粒子效应的主要影响因素。针对这一影响因素,以同一结构不同JFET区宽度的1.2 kV SiC MOSFET器件为对象进行单粒子效应实验,探究JFET区宽度对器件单粒子烧毁阈值电压、漏电退化阈值电压以及负栅压条件下器件性能的影响。结果表明:随着JFET区宽度的减小,漏电退化阈值电压增大;减小器件JFET区宽度可有效改善器件的抗单粒子效应能力;在负栅压条件下对器件单粒子效应也会有此效果。采用Sentaurus TCAD进行模拟仿真,模拟结果证实,JFET区宽度以及负栅压的变化会影响氧化层下JFET区内空穴的积累,随之影响氧化层电场强度,从而影响器件单粒子漏电退化,与实验结果相符。以上结果为SiC MOSFET抗单粒子效应加固提供了理论基础。
|
关 键 词: | 碳化硅 漏电退化 单粒子效应 抗辐照 |
|