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特种CCD传感器及系统研发策略研究
引用本文:胡建人,秦会斌. 特种CCD传感器及系统研发策略研究[J]. 微纳电子技术, 2007, 44(7): 179-182
作者姓名:胡建人  秦会斌
作者单位:杭州电子科技大学,杭州,310037
基金项目:中国高教学会规划项目;浙江省大学物理实验精品课程建设项目;浙江省高教学会重点课题
摘    要:分析大感光像素特种CCD的工艺特点及对系统整体性能参数的影响。提出满势阱光电子数与CCD阱面积A和阱深W的积有关,CCD分辨间隔取决于光电子统计涨落,大像素提高了CCD感光灵敏度和动态范围,对工艺定位要求低,可单件或少量生产,适合我国现有人员、技术、设备和资本经济实力。用DSP+CPLD、FPGA器件和VI软件制作控制器,强化系统整体配置;寻找各行各业需要、技术对路的特种CCD开展研发,实行定单生产,滚动积累开发,走差异化发展道路,是发展我国IT技术产品的策略。

关 键 词:特种CCD  系统与工艺  研究开发策略  大面积像素  高动态范围  光电子涨落
文章编号:1671-4776(2007)07/08-0179-04
修稿时间:2007-03-28

Strategy on Research and Development of Special Type CCD Sensors and System
HU Jian-ren,QIN Hui-bin. Strategy on Research and Development of Special Type CCD Sensors and System[J]. Micronanoelectronic Technology, 2007, 44(7): 179-182
Authors:HU Jian-ren  QIN Hui-bin
Affiliation:Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310037, China
Abstract:
Keywords:special CCD   technology and system   research and develop strategy   large area pixel   high dynamic range   photoelectron fluctuation
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
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