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片式ZnO压敏电阻器印叠工艺对通流容量的影响
引用本文:曾祥明,张明,赵根妹,林伟时,康雪雅. 片式ZnO压敏电阻器印叠工艺对通流容量的影响[J]. 电子元件与材料, 2004, 23(2): 16-17
作者姓名:曾祥明  张明  赵根妹  林伟时  康雪雅
作者单位:成都宏明电子科大新材料有限公司,四川,成都,610058;中科院新疆理化所,新疆,乌鲁木齐,830011;成都宏明电子科大新材料有限公司,四川,成都,610058;中科院新疆理化所,新疆,乌鲁木齐,830011
基金项目:国家“863”计划资助项目(2002AA327040)
摘    要:通过印叠工序中,内电极烘干温度与烘干时间的试验,研究了它们对片式ZnO压敏电阻器通流容量的影响。结果表明:烘干温度与烘干时间分别为70℃与2~4h时,产品的通流容量最大。

关 键 词:片式氧化锌压敏电阻器  内电极的烘干温度  内电极的烘干时间  通流容量
文章编号:1001-2028(2004)02-0016-02

Chip Multilayer ZnO Varistors:The Effect of Superimposition Process on Withstanding Surge Current
ZENG Xiang-ming,,ZHANG Ming,ZHAO Gen-mei,LIN Wei-shi,KANG Xue-ya. Chip Multilayer ZnO Varistors:The Effect of Superimposition Process on Withstanding Surge Current[J]. Electronic Components & Materials, 2004, 23(2): 16-17
Authors:ZENG Xiang-ming    ZHANG Ming  ZHAO Gen-mei  LIN Wei-shi  KANG Xue-ya
Affiliation:ZENG Xiang-ming1,2,ZHANG Ming1,ZHAO Gen-mei1,LIN Wei-shi1,KANG Xue-ya2
Abstract:The effect of inner electrode drying temperature and drying time on the fluid capability was investigated. The results show that the largest fluid capability can be acquired when drying temperature is 70℃ and drying time 2 to 4 hours.
Keywords:chip multilayer ZnO varistors  inner electrode drying temperature  inner electrode drying time  withstanding surge current
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