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AlZn_(2n-1)O_(2n)电子结构与光学性质研究
引用本文:于杰,陈敬超,杜晔平,冯晶.AlZn_(2n-1)O_(2n)电子结构与光学性质研究[J].武汉理工大学学报,2010(5).
作者姓名:于杰  陈敬超  杜晔平  冯晶
作者单位:昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室;
基金项目:“973”前期研究专项(2008CB617609); 云南省自然科学基金(2006E0019Q)
摘    要:采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,电子交换关联能结合广义梯度近似(GGA)PW91形式,对Al原子掺杂不同超晶胞ZnO∶AlZn2n-1O2n(n=4,8,16和32)进行几何优化,分析比较了掺杂模型的电子结构及光学性质。结果表明,Al置换Zn位置掺杂容易,随着掺杂摩尔比例(Al∶ZnO)的减小,杂质元素对超晶胞晶格畸变程度减弱,Al和基体ZnO的原子数配比直接影响导电性能。光学性质计算发现,掺杂Al对紫外光波段(100~400nm)影响明显,随着摩尔比例(Al∶ZnO)减少,掺杂材料吸收系数下降,本征吸收边存在紫外光很窄波段内,电子跃迁的轨道能级主要集中于紫外光波段。

关 键 词:半导体  ZnO  掺杂  第一原理计算  

Electronic Structure and Optical Properties of AlZn_(2n-1)O_(2n)
YU Jie,CHEN Jing-chao,DU Ye-ping,FENG Jing.Electronic Structure and Optical Properties of AlZn_(2n-1)O_(2n)[J].Journal of Wuhan University of Technology,2010(5).
Authors:YU Jie  CHEN Jing-chao  DU Ye-ping  FENG Jing
Affiliation:YU Jie,CHEN Jing-chao,DU Ye-ping,FENG Jing(Key Lab of Advanced Materials of Precious-Nonferrous Metals,Education Ministry,Kunming University of Science , Technology,Kunming 650093,China)
Abstract:
Keywords:semiconductor  ZnO  doped  first principle  
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