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MnSe/Ti薄膜电沉积制备及其表征
引用本文:李文坡,李春焕,马斯,谢昭明,张胜涛.MnSe/Ti薄膜电沉积制备及其表征[J].功能材料,2013,44(11):1635-1637,1641.
作者姓名:李文坡  李春焕  马斯  谢昭明  张胜涛
作者单位:重庆大学化学化工学院,重庆,400044
基金项目:国家青年科学基金资助项目,重庆大学大型仪器开放基金资助项目
摘    要:在钛电极表面上,采用电化学方法在0.1mol/L MnSO4和0.002mol/L SeO2的溶液中沉积硒化锰(MnSe)薄膜。循环伏安实验结果表明在-1.60~-1.70V电位范围易发生Mn和Se共沉积。然后采用XRD、SEM及EDS等研究沉积电位分别在-1.55、-1.60、-1.65和-1.70V时得到薄膜的特性,结果表明上述选定的电位不影响沉积层立方结构优先沿(200)晶面向;不同电位对沉积层形貌及化学计量数有显著影响。控制电位可以沉积得到不同特征的MnSe薄膜。

关 键 词:MnSe  循环伏安法  恒电位  共沉积

Study on characterization and electrodeposition of MnSe/Ti thin films
LI Wen-po , LI Chun-huan , MA Si , XIE Zhao-ming , ZHANG Sheng-tao.Study on characterization and electrodeposition of MnSe/Ti thin films[J].Journal of Functional Materials,2013,44(11):1635-1637,1641.
Authors:LI Wen-po  LI Chun-huan  MA Si  XIE Zhao-ming  ZHANG Sheng-tao
Affiliation:(School of Chemistry & Chemical Engineering,Chongqing University,Chongqing 400044,China)
Abstract:
Keywords:MnSe  cyclic voltammogram  potentiostatic  co-deposition
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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