| 磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究 |
| |
| 引用本文： | 邵花,王文东,刘训春,夏洋. 磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究[J]. 功能材料, 2013, 0(18): 2625-2629 |
| |
| 作者姓名： | 邵花 王文东 刘训春 夏洋 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所 微电子器件与集成技术重点实验室,北京,100029 |
| |
| 基金项目： | 国家科技重大专项02专项资助项目 |
| |
| 摘 要： | 在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现,随溅射气压升高,高阻β相出现,薄膜电阻率随之增大;在相同溅射气压下,随着溅射功率的增加,薄膜电阻率先降低后升高。优化溅射工艺后制得的Ta薄膜的电阻率低至29.7μΩ·cm。
|
| 关 键 词： | 磁控溅射 Ta 薄膜电阻率 |
Preparation of low resistivity tantalum film deposited by magnetron sputtering |
| |
| SHAO Hua , WANG Wen-dong , LIU Xun-chun , XIA Yang. Preparation of low resistivity tantalum film deposited by magnetron sputtering[J]. Journal of Functional Materials, 2013, 0(18): 2625-2629 |
| |
| Authors: | SHAO Hua WANG Wen-dong LIU Xun-chun XIA Yang |
| |
| Affiliation: | SHAO Hua;WANG Wen-dong;LIU Xun-chun;XIA Yang;Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences; |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | magnetronsputtering tantalum film resistivity |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
