| 氯基条件下4H-SiC衬底的同质外延生长研究 |
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| 作者姓名： | 闫果果 张峰 钮应喜 杨霏 刘兴昉 王雷 赵万顺 孙国胜 曾一平 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083;国网智能电网研究院,北京,100192;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;东莞天域半导体科技有限公司,广东东莞523000 |
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| 基金项目： | 国网智能电网研究院项目(SGRI-WD-71-14-004);国家“863”计划项目(2014AA041402);国家自然科学基金项目(61474113;61274007和61574140);北京市自然科学基金项目(4132076和4132074);中国科学院青年创新促进会项目(2012098) |
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| 摘 要： | 利用课题组自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在朝[11-20]方向偏转4°的(0001)Si面4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,研究了生长温度及氯硅比(Cl/Si比)对外延生长速率的影响机理.研究发现,外延生长速率随生长温度的提高呈线性增加,而Cl/Si比的改变对生长速率的影响不大.文章进一步探究了Cl/Si比对4H-SiC外延层表面缺陷的影响.较低的Cl/Si比(0.4～2)可以减少或消除三角缺陷,Cl/Si比较高(大于5)时,表面质量反而下降,因而,适当的Cl/Si比对于获得表面形貌良好的4H-SiC外延层至关重要.
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| 关 键 词： | 碳化硅 低压化学气相沉积 同质外延 生长温度 |
| 收稿时间： | 2015-12-07 |
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