| 300 mm双面磨削硅片损伤层厚度检测 |
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| 引用本文： | 陈海滨,周旗钢,万关良,肖清华.300 mm双面磨削硅片损伤层厚度检测[J].稀有金属,2006,30(Z1):50-54. |
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| 作者姓名： | 陈海滨 周旗钢 万关良 肖清华 |
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| 作者单位： | 有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京,100088 |
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| 摘 要： | 测量300 mm双面磨削硅片损伤层厚度,不仅可以为优化双面磨削工艺提供科学依据,并最终可以减少双面磨削损伤层厚度,而且可以有助于减少抛光时间,改善抛光硅片的几何参数.本文应用恒定腐蚀法和双晶衍射法测量了300 mm硅片双面磨削工艺后的损伤层厚度,对恒定腐蚀法进行了较深入的研究,并结合恒定腐蚀法的结果对硅片进行双晶衍射.得出以下结论杨氏腐蚀液因为对缺陷具有良好的择优性能,可以用以损伤层厚度检测.而硝酸腐蚀液因为对缺陷不具有良好的择优性能,因而不能用以损伤层厚度检测;恒定腐蚀法可以粗略测定磨削硅片损伤层厚度,而双晶衍射法可以精确测定磨削硅片损伤层厚度;根据恒定腐蚀法的测试结果来进行双晶衍射,可以减少测试样品的数量,节省试验经费;300 mm直拉P型＜100＞硅片经2000#砂轮双面磨削后的损伤层厚度为12.5μm.
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| 关 键 词： | 损伤 恒定腐蚀 双晶衍射 300 mm硅片 |
| 文章编号： | 0258-7076(2006)-0050-05 |
| 修稿时间： | 2006年8月20日 |
Subsurface Damage Depth Measurement of Double-Side Grinding of 300 mm Silicon Wafer |
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| Chen Haibin,Zhuo Qigang,Wan Guanliang,Xiao Qinghua.Subsurface Damage Depth Measurement of Double-Side Grinding of 300 mm Silicon Wafer[J].Chinese Journal of Rare Metals,2006,30(Z1):50-54. |
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| Authors: | Chen Haibin Zhuo Qigang Wan Guanliang Xiao Qinghua |
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