| 一种耗尽型短沟道MOS器件阈电压模型 |
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| 引用本文： | 何野,魏同立. 一种耗尽型短沟道MOS器件阈电压模型[J]. 固体电子学研究与进展, 1987, 0(2) |
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| 作者姓名： | 何野 魏同立 |
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| 作者单位： | 南京工学院微电子研究中心(何野)，南京工学院微电子研究中心(魏同立) |
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| 基金项目： | 中国科学院科学基金资助课题 |
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| 摘 要： | 本文研究了耗尽型MOS器件的短沟道效应,把Yau的电荷分配理论推广到耗尽型器件,并作了适当修正。提出一种简单而精确的耗尽型短沟道MOS器件阈电压分析模型,与实验数据吻合良好。该模型可以应用于这类器件及电路的CAD。
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A Model for Threshold Voltage of Short Channel Depletion Mode MOSFET |
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| Abstract: | The short channel effect of depletion mode MOSFET is studied in this paper. The charge sharing model presented by Yau is extended to the depletion mode MOSFET and some modification is made. An accurate and simple analytical model of threshold voltage for depletion mode MOSFET is presented. It is in good agreement with experimental data and can be used in CAD of MOS devices and circuits. |
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