基于原子浓度预测电迁移空洞位置的仿真分析

随着电子封装向高功率、高密度方向发展,互连结构面临着电迁移失效引发的器件可靠性问题。传统的仿真方法多数基于单个或者两个物理场进行的。以预测互连结构中空洞出现的位置为目标,采用有限元方法,提出一种综合考虑电场、温度场、应力场和原子浓度场完全耦合作用下获得互连结构中原子浓度的分布的仿真方法,预测原子浓度最小值处出现空洞。分别将该方法应用于互连引线结构和互连焊点结构,对比实验现象,验证了该仿真方法的准确性与可靠性,为集成电路设计的可靠性分析提供一种精准的预测方法,并提出失效判据。