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| 超薄栅介质的击穿特性 | |
| 作者姓名： | 黄卫 杜艳 |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司中央研究所!无锡214035 |
| 摘 要： | 本文主要讨论超薄栅介质和隧道氧化层的各种击穿机理，以及评价参数，并结合实际探讨超薄栅介质和隧道氧化层的测试结构，测试和分析技术等有关击穿特性的论证方法，为亚微米工艺，E2PROM工艺和Flashmemory工艺的研究和开发提供一定的技术支撑。 |
| 关 键 词： | VLSI E^2PROM 击穿 MOS 超薄栅介质 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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