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Gd2O3对手性液晶CB15衍射影响
引用本文:张炯,刘桂香.Gd2O3对手性液晶CB15衍射影响[J].兵器材料科学与工程,2019,42(6):58-61.
作者姓名:张炯  刘桂香
作者单位:中国兵器科学研究院宁波分院,浙江宁波,315103;内蒙古科技大学包头师范学院,内蒙古包头,014030
摘    要:根据液晶非线性衍射原理,研究Gd_2O_3粒子对手性液晶CB15衍射特性的影响。在无外磁场作用时,纯CB15能产生非常显著双曲对称光栅衍射,表明纯CB15液晶螺旋结构沿双曲对称方向出现周期性。将纯手性液晶CB15样品放置于强度为0.518 5 T磁场中,衍射场中的双曲条纹消失,出现密集的圆环衍射。在手性液晶CB15中掺杂不同浓度的稀土氧化物Gd_2O_3,衍射场中的双曲条纹衍射也会消失,且出现圆环衍射。在Gd_2O_3/CB15样品上施加强度为0.518 5 T的磁场,发现掺杂比为0.006 g∶0.4 mL时,衍射场中出现5条较宽的相互平行的直条纹,其与磁场成36.8°,表明CB15液晶在磁场和Gd_2O_3共同作用下,折射率?n沿与磁场成126.8°角的方向成周期性分布。

关 键 词:非线性衍射  手性液晶CB15  Gd2O3  磁场  光栅
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