| ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性 |
| |
| 引用本文： | 张琦锋,戎懿,陈贤祥,张耿民,张兆祥,薛增泉,陈长琦,吴锦雷. ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性[J]. 半导体学报, 2006, 27(7): 1225-1229 |
| |
| 作者姓名： | 张琦锋 戎懿 陈贤祥 张耿民 张兆祥 薛增泉 陈长琦 吴锦雷 |
| |
| 作者单位： | 北京大学信息科学技术学院，北京 100871;北京大学信息科学技术学院，北京 100871;合肥工业大学机械与汽车工程学院，合肥 230009;北京大学信息科学技术学院，北京 100871;北京大学信息科学技术学院，北京 100871;北京大学信息科学技术学院，北京 100871;合肥工业大学机械与汽车工程学院，合肥 230009;北京大学信息科学技术学院，北京 100871 |
| |
| 基金项目： | 国家研究发展基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 北京市自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的ZnO纳米线,并通过场发射显微镜研究了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性.结果显示,非取向生长的ZnO纳米线薄膜场发射的开启电压和阈值电压所对应的场强分别为4.7和7.6V/μm,场增强因子达103量级,具有较阵列生长的ZnO纳米线更为优异的场发射能力.非取向生长ZnO纳米线薄膜场发射能力的增强归因于其所具有的稀疏结构避免了强场作用下屏蔽效应的产生,有效地提高了薄膜场发射的电流密度.将ZnO纳米线组装在钨针尖上能够明显地改善针尖的场发射性能,在超高分辨显微探针领域具有良好应用前景.
|
| 关 键 词： | ZnO 纳米线 气相沉积 场发射 纳米线 气相沉积 发射特性 Emission Properties Field Deposition Nanowires 前景 应用 微探针 高分辨 发射性能 改善 电流密度 屏蔽效应 作用 强场 稀疏结构 场增强因子 能力 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)07-1225-05 |
| 收稿时间： | 2005-11-07 |
| 修稿时间： | 2005-11-07 |
Fabrication of ZnO Nanowires by Vapor-Phase Deposition and Their Field Emission Properties |
| |
| Zhang Qifeng,Rong Yi,Chen Xianxiang,Zhang Gengmin,Zhang Zhaoxiang,Xue Zengquan,Chen Changqi and Wu Jinlei. Fabrication of ZnO Nanowires by Vapor-Phase Deposition and Their Field Emission Properties[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(7): 1225-1229 |
| |
| Authors: | Zhang Qifeng Rong Yi Chen Xianxiang Zhang Gengmin Zhang Zhaoxiang Xue Zengquan Chen Changqi Wu Jinlei |
| |
| Affiliation: | School of Electronic Engineering and Computer Science,Peking University,Beijing 100871,China;School of Electronic Engineering and Computer Science,Peking University,Beijing 100871,China;School of Mechanical and Automotive Engineering,Hefei University of Technology,Hefei 230009,China;School of Electronic Engineering and Computer Science,Peking University,Beijing 100871,China;School of Electronic Engineering and Computer Science,Peking University,Beijing 100871,China;School of Electronic Engineering and Computer Science,Peking University,Beijing 100871,China;School of Mechanical and Automotive Engineering,Hefei University of Technology,Hefei 230009,China;School of Electronic Engineering and Computer Science,Peking University,Beijing 100871,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnO nanowire vapor-phase deposition field emission |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
