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微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究
引用本文:陈长青,丁明清,李兴辉,白国栋,张甫权,冯进军,邵文生.微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究[J].真空科学与技术学报,2007,27(5):363-366.
作者姓名:陈长青  丁明清  李兴辉  白国栋  张甫权  冯进军  邵文生
作者单位:北京真空电子技术研究所,大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室,北京749信箱41分箱,北京,100016
基金项目:大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室的资助
摘    要:本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)生长直立的碳纳米管。并对17500个发射单元的阵列阴极进行了表面形貌表征及场发射特性测试。结果表明,碳纳米管阵列阴极的一致性较好;最低开启电场为1 V/μm;电场为17 V/μm时,测得的电流密度已达到90 mA/cm^2;发射电流为550μA时,在2.5 h内的波动小于5.6%。

关 键 词:微图形  定向碳纳米管  场发射阵列冷阴极  直流等离子体增强化学气相沉积
文章编号:1672-7126(2007)05-363-04
修稿时间:2007-01-18

Development of Micro-Patterned Well-Aligned Carbon Nanotube Field Emission Arrays
Chen Changqing,Ding Mingqing,Li Xinghui,Bai Guodong,Zhang Fuquan,Feng Jinjun,Shao Wensheng.Development of Micro-Patterned Well-Aligned Carbon Nanotube Field Emission Arrays[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2007,27(5):363-366.
Authors:Chen Changqing  Ding Mingqing  Li Xinghui  Bai Guodong  Zhang Fuquan  Feng Jinjun  Shao Wensheng
Affiliation:Vacmun Electronics National laboratory, Beijing Vacuum Electronics Research Institute, P. O. Box 749, Beijing 100016, China
Abstract:
Keywords:Micro-patterned  Well-aligned carbon-nanotube  Field emission arrays cathode  Direct current plasma enhanced chemical vapour deposition
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