| SiC肖特基势垒二极管在PFC电路中的应用 |
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| 引用本文： | 向晋星,张涛,关健铭. SiC肖特基势垒二极管在PFC电路中的应用[J]. 通信电源技术, 2006, 23(2): 48-50 |
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| 作者姓名： | 向晋星 张涛 关健铭 |
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| 作者单位： | 深圳斯比泰电子有限公司,广东,深圳,518004 |
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| 摘 要： | 介绍了一种SiC肖特基势垒二极管在PFC电路上的应用。利用新型材料———SiC作成的二极管具有高工作温度、高耐压、正温度系数,反向特性好的特点,降低了自身及其MOSFET的开通损耗,最直接的效果就是效率升高,同时也使EMC的效果得以改善,而且二极管可以并联使用。
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| 关 键 词： | SiC肖特基势垒二极管 功率因数校正 电磁兼容 |
| 文章编号： | 1009-3664（2006）02-0048-03 |
| 收稿时间： | 2005-09-16 |
| 修稿时间： | 2005-09-16 |
Application of Power Factor Correction Circuits with SiC-Based Schottky Barrier Diode |
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| XIANG Jing-xing,ZHANG Tao,GUANG Jian-ming. Application of Power Factor Correction Circuits with SiC-Based Schottky Barrier Diode[J]. Telecom Power Technologies, 2006, 23(2): 48-50 |
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| Authors: | XIANG Jing-xing ZHANG Tao GUANG Jian-ming |
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| Affiliation: | Shenzhen Speedy-Tech Electronics CO. ,LTD, Shenzhen 518004, China |
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| Abstract: | New material--SiC used for power factor correction is introduced in this paper. The characteristics of SiC Schottky barrier diodes are higher operating temperature, higher voltage, zero reverse recovery time. It can improve the efficiency and the EMC to use the SiC Schottky barrier diodes. |
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| Keywords: | SiC-Based Schottky Barrier Diode PFC EMC |
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