| Pt／Si界面反应与肖特基势垒形成的研究 |
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| 引用本文： | 丁孙安 许振嘉. Pt／Si界面反应与肖特基势垒形成的研究[J]. 红外与毫米波学报, 1993, 12(5): 385-391 |
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| 作者姓名： | 丁孙安 许振嘉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所 表面物理国家重点实验室 北京 100083，表面物理国家重点实验室 北京 100083 |
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| 摘 要： | 利用俄歇电子能谱，二次离子质谱，深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和Ｃ－Ｖ法等测量方法，详细研究了Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｔ硅化物／Ｓｉ界面的反应性质，原子结构及杂质／缺陷的分布，讨论了它们对肖特基势垒的形成，势垒特发生和势垒高度的影响。
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| 关 键 词： | 界面反应 肖特基势垒 硅化物 铂 |
STUDY OF THE RELATION BETWEEN INTERFACIAL REACTION AND FORMATION OF SCHOTTKY BARRIERS |
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| DING SUNAN,XU ZHENJIA. STUDY OF THE RELATION BETWEEN INTERFACIAL REACTION AND FORMATION OF SCHOTTKY BARRIERS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1993, 12(5): 385-391 |
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| Authors: | DING SUNAN XU ZHENJIA |
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| Abstract: | Electrical measurements (DLTS and C-V) were combined with surface analysis techniques (AES and SIMS) to study the reactions, atomic structure, the distribution of defect/impurity and the Schottky barrier heights at Pt/Si and Pt-silicides/Si interfaces. The relation between the interracial reaction and the formation of Schottky barriers is discussed in this paper in detail. |
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| Keywords: | interfacial reaction Schottky barrier deep level silicide. |
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