低杂质浓度外延层的生长

众所周知,在N~ 衬底上生长极低杂质浓度和极厚的N~-外延层是困难的。T.Suzuki等人利用三氯氢硅氢还原法在立式射频加热反应器内生长出杂质浓度为5～8×10~(13)cm~(-3)、150μm厚的N~-/N~ 外延层;并用这种材料成功地制造出cb结击穿电压高达2300V的彩色电视机行输出管。显然,在生长极低杂质浓度外延层时,控制背景杂质浓度是极其重要的。背景杂质的来源有:(1)运载或还原气体、硅源化合物、管道系统、基座和支架、反应器、最终残留在衬底表面上的杂质等(以下统称工艺非控杂质);(2)自掺杂。因此,除了环境控制和外延工艺中的清洁工作外,重要的是抑制自掺杂效应,以使背景杂质浓度降低到足够低的水平。本工作采用多晶硅自封