| 离子辅助沉积对TiO2薄膜应力的影响 |
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| 引用本文： | 赵永江,黄腾超,沈伟东,顾培夫,刘旭.离子辅助沉积对TiO2薄膜应力的影响[J].浙江大学学报(自然科学版 ),2005,39(11):1816-1818. |
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| 作者姓名： | 赵永江 黄腾超 沈伟东 顾培夫 刘旭 |
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| 作者单位： | 浙江大学 现代光学仪器国家重点实验室，浙江 杭州 310027 |
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| 摘 要： | 对在离子辅助沉积（IAD）和常规工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力进行了试验研究，并探讨了利用台阶仪测量镀膜前后基板表面曲率的方法。结果表明，当基板温度低于100 ℃时，在离子辅助沉积工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力略大于在常规工艺条件下镀制的薄膜的应力；随着薄膜厚度的增加，TiO2薄膜应力逐渐减小，从125 nm的392 MPa下降到488 nm的30 MPa；离子源阳极电压对薄膜应力影响较大，在100 V时薄膜应力为164 MPa，当电压升高到190 V时，应力下降到75 MPa。
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| 关 键 词： | TiO2薄膜 离子辅助沉积 应力 |
| 文章编号： | 1008-973X（2005）11-1816-03 |
| 收稿时间： | 2004-04-28 |
| 修稿时间： | 2004-04-28 |
Analysis of stress in TiO2 thin film prepared with ion assisted deposition |
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| ZHAO Yong-jiang,HUANG Teng-chao,SHEN Wei-dong,GU Pei-fu,LIU Xu.Analysis of stress in TiO2 thin film prepared with ion assisted deposition[J].Journal of Zhejiang University(Engineering Science),2005,39(11):1816-1818. |
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| Authors: | ZHAO Yong-jiang HUANG Teng-chao SHEN Wei-dong GU Pei-fu LIU Xu |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Modern Optical Instrumentation, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TiO2 thin film ion assisted deposition stress |
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