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| SrTiO_3晶界层陶瓷电容器 | |
| 引用本文： | 华渊,胡宗民.SrTiO_3晶界层陶瓷电容器[J].硅酸盐通报,1987(1). |
| 作者姓名： | 华渊 胡宗民 |
| 作者单位： | 南京化工学院硅工系 (华渊)，天津大学材料系(胡宗民) |
| 摘 要： | 采用一次烧成工艺研制了大容量、高绝缘、低损耗的SrTiO_3基晶界层电容器。实验结果表明:非化学计量比(Ti/Sr比)、施主掺杂剂含量以及一次烧成过程中氧化保温时间是影响这类电容器电性能最主要的因素。其中氧化保温时间直接决定着SrTiO_3显微结构,尤其是晶界层的厚度。 |
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