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离子束流密度和基底温度对TiN纳米薄膜性能的影响
引用本文:梁爱民,徐洮,王立平,林义民,孙蓉.离子束流密度和基底温度对TiN纳米薄膜性能的影响[J].材料科学与工程学报,2005,23(4):534-536.
作者姓名:梁爱民  徐洮  王立平  林义民  孙蓉
作者单位:中国科学院兰州化学物理研究所,固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000;中国科学院兰州化学物理研究所,固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000;中国科学院兰州化学物理研究所,固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000;中国科学院兰州化学物理研究所,固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000;中国科学院兰州化学物理研究所,固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000
摘    要:采用低能离子束辅助沉积技术在Si片上制备了TiN纳米薄膜.考察了离子束流密度和基底温度对薄膜性能的影响.研究表明:随着离子束流密度的增大,TiN薄膜的纳米硬度上升,膜基结合力变化不大,薄膜的耐磨性获得了很大改善;制膜时的基底温度升高,薄膜的硬度也会上升,但膜基结合力下降,摩擦系数增大,薄膜的耐磨性下降.

关 键 词:TiN薄膜  离子束辅助沉积  结合强度  纳米硬度  摩擦学性能
文章编号:1004-793X(2005)04-0534-03
修稿时间:2004年9月20日

Effect of Ion Beam Flux Density and the Temperature of Substrate on Properties of the TiN Nano-films
LIANG Ai-min,XU Tao,WANG Li-ping,LIN Yi-min,SUN Rong.Effect of Ion Beam Flux Density and the Temperature of Substrate on Properties of the TiN Nano-films[J].Journal of Materials Science and Engineering,2005,23(4):534-536.
Authors:LIANG Ai-min  XU Tao  WANG Li-ping  LIN Yi-min  SUN Rong
Abstract:TiN Nano-film was prepared on Si wafer by low-energy ion beam aided deposition technique. The effect of ion beam flux density and the temperature of Si substrate on the properties of the film was investigated. The results show that the nano-hardness and the wear resistance of the film increase with an increase in ion beam flux density although the film-substrate bonding strength varied little. However, with the temperature of Si substrate increasing, the film-substrate bonding strength and wear resistance of the film decrease although its nano-hardness increases.
Keywords:TiN film  ion beam aided deposition  bonding strength  hardness  tribological properties
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