| GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究 |
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| 引用本文： | 唐君,陈弘达,梁琨,杜云,杨晓红,吴荣汉. GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究[J]. 半导体学报, 2005, 26(z1): 243-246 |
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| 作者姓名： | 唐君 陈弘达 梁琨 杜云 杨晓红 吴荣汉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°～60°,模式调谐范围约为40nm,而谐振波长处的量子效率峰值及半高宽FWHM的变化与材料吸收系数紧密相关.
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| 关 键 词： | RCE光电探测器 量子效率 GaAs |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0243-04 |
| 修稿时间： | 2004-11-10 |
Properties of GaAs Based Resonant Cavity Enhanced Photodetectors |
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| Tang Jun,Chen Hongda,Liang Kun,Du Yun,Yang Xiaohong,Wu Ronghan. Properties of GaAs Based Resonant Cavity Enhanced Photodetectors[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(z1): 243-246 |
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| Authors: | Tang Jun Chen Hongda Liang Kun Du Yun Yang Xiaohong Wu Ronghan |
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