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| 降低SU-8光刻胶侧壁粗糙度的研究 | |
| 作者姓名： | 张晔 陈迪 李建华 靖向萌 倪智萍 朱军 |
| 作者单位： | 上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,上海,200030 |
| 摘 要： | SU-8负性光刻胶可通过UV-LIGA技术得到高深宽比微结构,是微机械系统(MEMS)制造中极具前景的一种技术。目前已有对于SU-8微结构的线宽变化,侧壁倾角,表面粗糙度,增加深宽比等方面的大量研究,但是鲜有对于SU-8微结构侧壁粗糙度的研究。该文从造成微结构侧壁粗糙度的原因入手,讨论了各个工艺参数对侧壁粗糙度的影响,并且通过优化工艺参数达到了降低SU-8微结构侧壁粗糙度的目的。 |
| 关 键 词： | 侧壁粗糙度 |
| 文章编号： | 1004-2474(2007)01-0118-04 |
| 修稿时间： | 2005-10-20 |
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