| Au/(Si/SiO2)/p-Si薄膜中电流及电致发光机制的分析 |
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| 引用本文： | 张开彪,马书懿,马自军,陈海霞. Au/(Si/SiO2)/p-Si薄膜中电流及电致发光机制的分析[J]. 光电子．激光, 2006, 17(2): 135-138 |
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| 作者姓名： | 张开彪 马书懿 马自军 陈海霞 |
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| 作者单位： | 西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;教育部科学技术基金 |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射法制备了具有Au／（Si／SiO2）／pSi结构的样品，利用I-V特性曲线和电致发光（EL）谱对载流子的输运及复合发光过程进行了研究，用位形坐标理论模型分析的结果表明，在SiO2薄膜中存在2个由于缺陷而形成的发光中心，Au膜中的电子和p型Si中的空穴在较高的电场下以Fowler-Nordheim（F-N）隧穿方式进入SiO2薄膜，并通过其中的缺陷中心复合而发光。
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 Fowler-Nordheim(F-N)隧穿 位形坐标 |
| 文章编号： | 1005-0086（2006）02-0135-04 |
| 收稿时间： | 2005-05-15 |
| 修稿时间： | 2005-05-152005-09-12 |
Study of Transport and Electroluminescence Mechanism in Au/(Si/SiO2)/p-Si Structure |
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| ZHANG Kai-biao,MA Shu-yi,MA Zi-jun,CHEN Hai-xia. Study of Transport and Electroluminescence Mechanism in Au/(Si/SiO2)/p-Si Structure[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2006, 17(2): 135-138 |
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| Authors: | ZHANG Kai-biao MA Shu-yi MA Zi-jun CHEN Hai-xia |
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| Affiliation: | College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University,Lanzhou 730070,China |
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| Abstract: | The samples with Au/(Si/SiO_2)/p-Si structures were fabricated using the R.F magnetron sputtering technique.And their carrier transport and electroluminescence mechanism were studied by the I-V curve and EL spectra.Using the configuration coordinate as a theoretical model,the results indicate that there are two defect center in SiO_2 films,the electron in Au and the hole in p-Si enter into SiO_2 film with the Fowler-Nordheim(F-N) tunneling model at a high bias voltage and recombine through these defect centers in SiO_2 film. |
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| Keywords: | R.F magnetron sputtering Fowler-Nordheim(F-N) tunneling configuration coordinate |
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