| 硅片纳米微粒清洗洁净新技术 |
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| 引用本文： | 张慧,成立,韩庆福,严雪萍,刘德林,徐志春,李俊.硅片纳米微粒清洗洁净新技术[J].半导体技术,2007,32(4):297-300. |
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| 作者姓名： | 张慧 成立 韩庆福 严雪萍 刘德林 徐志春 李俊 |
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| 作者单位： | 江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013 |
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| 基金项目： | 江苏省高校科研成果产业推进工程计划项目 |
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| 摘 要： | 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高.传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法.简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法,然后在此基础上分析了几种硅片制备工艺中纳米微粒的去除新技术,包括低温冷凝喷雾清洗工艺,N2O电子回旋加速共振等离子系统清洗技术,以及超细晶圆质量无危险的清洗方法等.
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| 关 键 词： | 硅片 纳米微粒 电子回旋加速共振 清洗洁净技术 |
| 文章编号： | 1003-353(2007)04-297-04 |
| 修稿时间： | 2006-10-30 |
Novel Clean Technologies for Nanometer Particles of Si Surface |
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| ZHANG Hui,CHENG Li,HAN Qing-fu,YAN Xue-ping,LIU De-lin,XU Zhi-chun,LI Jun.Novel Clean Technologies for Nanometer Particles of Si Surface[J].Semiconductor Technology,2007,32(4):297-300. |
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| Authors: | ZHANG Hui CHENG Li HAN Qing-fu YAN Xue-ping LIU De-lin XU Zhi-chun LI Jun |
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| Affiliation: | Institute of Electricity and Information, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China |
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| Abstract: | With the development of semiconductor technology,the line width of IC becomes more and more narrow,the requirement of Si surface also becomes more and more strict.Traditional wet clean method could not meet this requirement,so new clean technologies for nanometer particles must be developed.The types of contamination in semiconductor,conventional technologies of wet and dry clean methods were introduced,and some new clean technologies were discussed,including cryogenic clean technology,N2O ECR and non-damage clean methods and so on. |
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| Keywords: | Si surface nanometer particle electron cyclotron resonance(ECR) clean technology |
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