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| n型〈100〉掺硫GaP单晶研制 | |
| 引用本文： | 俞斌才,邓志杰.n型〈100〉掺硫GaP单晶研制[J].稀有金属,1992,16(6):467-470. |
| 作者姓名： | 俞斌才 邓志杰 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院 (俞斌才，邓志杰，马三胜)，北京有色金属研究总院(刘锡田) |
| 摘 要： | 近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加热。99.9999％的高纯镓及高纯磷先期在高压合成炉内制成GaP多晶。 |
| 关 键 词： | 磷化镓 单晶 硫 掺杂剂 n型半导体 |
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