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| 高浓度注砷和注锑硅的连续氩离子激光退火研究 | |
| 引用本文： | 钱佩信,林惠旺,陆永枫,李冬梅.高浓度注砷和注锑硅的连续氩离子激光退火研究[J].半导体学报,1985,6(6):641-647. |
| 作者姓名： | 钱佩信 林惠旺 陆永枫 李冬梅 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 (钱佩信，林惠旺，陆永枫)，清华大学微电子学研究所(李冬梅) |
| 摘 要： | 对高浓度注砷硅(双能量注入150 keV、1.05 × 10~(14)cm~(-2)和 60 keV、3.5×10~(15)cm~(-2)的连续Ar~+激光退火进行了研究.实验发现只有在合适的样品预热温度和激光功率的条件下才能获得最高的电激活率.过高的预热温度,因亚稳态载流子浓度弛豫现象而使电激活率降低;但过低的预热温度,因需要更大的激光功率而使硅表面产生严重损伤,甚至产生微细裂纹.这种现象在高浓度注锑硅(150keV、10~(16)cm~(-2))样品中同样存在. |
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