| DC～20 GHz宽带单片数控衰减器 |
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| 引用本文： | 刘志军,方园,高学邦,吴洪江.DC～20 GHz宽带单片数控衰减器[J].半导体技术,2009,34(3). |
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| 作者姓名： | 刘志军 方园 高学邦 吴洪江 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法.电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现.利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标.工作频率为DC～20 GHz,全态衰减附加相移小于等于±3°,驻波比≤1.5:1.通过设计结果和测试结果对比,表明本单片的设计方法可行.最终,单片电路流片一次成功,实现了设计目标.电路尺寸为2.7 mm × 1.4 mm×0.1 mm,控制电压为0 V和-5 V,无直流功耗.
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| 关 键 词： | 宽带 衰减附加相移 微波单片集成电路 数控衰减器 电磁仿真 |
DC to 20 GHz Broadband MMIC Digital Attenuator |
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| Liu Zhijun,Fang Yuan,Gao Xuebang,Wu Hongjiang.DC to 20 GHz Broadband MMIC Digital Attenuator[J].Semiconductor Technology,2009,34(3). |
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| Authors: | Liu Zhijun Fang Yuan Gao Xuebang Wu Hongjiang |
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| Affiliation: | The 13th Research Institute;CETC;Shijiazhuang 050051;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | broadband phase variation MMIC digital attenuator electromagnetic simulation |
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