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Pb(Sc1/2Ta1/2)O3铁电薄膜的制备及性能研究
引用本文:刘梅冬,曾亦可,邓传益,姜胜林,李元昕,李艳秋,刘少波. Pb(Sc1/2Ta1/2)O3铁电薄膜的制备及性能研究[J]. 压电与声光, 2005, 27(2): 142-144,159
作者姓名:刘梅冬  曾亦可  邓传益  姜胜林  李元昕  李艳秋  刘少波
作者单位:1. 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
2. 中国科学院,电工研究所,北京,100080
基金项目:国家"八六三"计划先进制造与自动化技术领域资助项目(2003AA404150);国家"八六三"计划新材料领域资助项目(2002AA325080);国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201028)
摘    要:用Pb(CH3COO)2·3H2O、Sc(CH3COO)3·xH2O和C10H25O 5Ta为原材料,乙二醇甲醚为溶剂,用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SO2/Si基片上成功地制备出ABO3钙钛矿型结构Pb(Sc1/2Ta1/2)O3(PST)铁电薄膜.该薄膜是研制铁电微型致冷器和非致冷热释电红外焦平面阵列的优选材料.对制备出的PST薄膜进行了介电、铁电和热释电性能测试.测试得到在1 kHz下PST薄膜的介电常数为570,介电损耗为0.02.铁电性能良好,剩余板化强度为3.8~6.0 μC·cm-2,矫顽场为40~45 kV·cm-1.热释电系数为4.0×10-4~20×10-4Cm-2K-1.

关 键 词:铁电薄膜 Pb(Sc1/2Ta1/2)O3 溶胶-凝胶 铁电性 热释电性
文章编号:1004-2474(2005)02-0142-03

The Preparation and Properties of Pb(Ta1/2Sc1/2)O3 Thin Films
LIU Mei-dong,ZENG Yi-ke,DENG Chuan-yi,JIANG Sheng-lin,LI Yua-xin,LI Yan-qiu,LIU Shao-bo. The Preparation and Properties of Pb(Ta1/2Sc1/2)O3 Thin Films[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2005, 27(2): 142-144,159
Authors:LIU Mei-dong  ZENG Yi-ke  DENG Chuan-yi  JIANG Sheng-lin  LI Yua-xin  LI Yan-qiu  LIU Shao-bo
Abstract:
Keywords:ferroelectric thin films  Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3  Sol-Gel  ferroelectric properties  pyroelectric properties  
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