一种自动体偏置多阈值电压高温 SOI CMOS电路 |
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作者姓名: | 张海鹏 魏同立 杨国勇 冯耀兰 宋安飞 |
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作者单位: | 东南大学微电子中心, |
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基金项目: | 国家自然科学基金重点项目( 69736020) |
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摘 要: | 提出了一种高温OICMOS电路设计方法--自动体偏置多阈值电压SOICMOS(简称ABB-MT-SOICMOS:Auto-Bulk-BiasedMulti-ThresholdSOICMOS)电路。文中主要讨论了ABB-MT-SOICMOS电路的结构与工作原理,设计与布局等,给出了内部电路电压和电流的模拟结果,并简述了该电路的应用前景。
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关 键 词: | 自动体偏置 多阈值电压 高温 SOICMOS电路 |
文章编号: | 1007-4252(2001)02-0175-4 |
修稿时间: | 2000-06-08 |
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