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| 一种自动体偏置多阈值电压高温 SOI CMOS电路 | |
| 引用本文： | 张海鹏,魏同立,杨国勇,冯耀兰,宋安飞.一种自动体偏置多阈值电压高温 SOI CMOS电路[J].功能材料与器件学报,2001,7(2):175-178. |
| 作者姓名： | 张海鹏 魏同立 杨国勇 冯耀兰 宋安飞 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心, |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 ( 69736020) |
| 摘 要： | 提出了一种高温OICMOS电路设计方法－－自动体偏置多阈值电压SOICMOS（简称ABB－MT－SOICMOS：Auto-Bulk-BiasedMulti-ThresholdSOICMOS）电路。文中主要讨论了ABB－MT－SOICMOS电路的结构与工作原理，设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果，并简述了该电路的应用前景。 |
| 关 键 词： | 自动体偏置 多阈值电压 高温 SOICMOS电路 |
| 文章编号： | 1007－4252(2001)02－0175－4 |
| 修稿时间： | 2000年6月8日 |
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