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一种自动体偏置多阈值电压高温 SOI CMOS电路
作者姓名:张海鹏  魏同立  杨国勇  冯耀兰  宋安飞
作者单位:东南大学微电子中心,
基金项目:国家自然科学基金重点项目( 69736020)
摘    要:提出了一种高温OICMOS电路设计方法--自动体偏置多阈值电压SOICMOS(简称ABB-MT-SOICMOS:Auto-Bulk-BiasedMulti-ThresholdSOICMOS)电路。文中主要讨论了ABB-MT-SOICMOS电路的结构与工作原理,设计与布局等,给出了内部电路电压和电流的模拟结果,并简述了该电路的应用前景。

关 键 词:自动体偏置  多阈值电压  高温  SOICMOS电路
文章编号:1007-4252(2001)02-0175-4
修稿时间:2000-06-08
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