首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

高阻尼6061Al/SiCp/Gr复合材料中的内耗峰及其阻尼机制
引用本文:顾敏,张迎元,等.高阻尼6061Al/SiCp/Gr复合材料中的内耗峰及其阻尼机制[J].材料科学与工程,2002,20(3):321-324.
作者姓名:顾敏  张迎元
作者单位:[1]郑州大学北区材料研究中心,河南郑州450002 [2]洛阳船舶材料研究所,河南洛阳471039
摘    要:采用喷射共沉积方法制备了606AL/SiCp/Cr混杂金属基复合材料(MMC),研究了其阻尼性能。结果表明:该材料在150℃附近有一温度内耗峰,且随频率增加该峰峰位向高温移动,峰高降低。通过Arrhenius方程测得内耗峰的激活能为1.17eV。分析认为,该峰具有弛豫特性,它是在热与应力的双重作用下,有位错拖曳点缺陷运动所致,符合位错诱生阻尼机制。

关 键 词:6061Al/SiCp/Gr复合材料  阻尼机制  喷射沉积  内耗峰    碳化硅  力学性能
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号