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DC磁控溅射沉积WO3电致变色薄膜
引用本文:何延春,吴春华,邱家稳.DC磁控溅射沉积WO3电致变色薄膜[J].材料导报,2008,22(Z1):318-320.
作者姓名:何延春  吴春华  邱家稳
作者单位:兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室,兰州,730000
摘    要:采用直流磁控反应溅射工艺制备了WO3薄膜,在初始状态和注入Li离子后的平均透射率分别为83%和6%,变化接近77%,表明该WO3薄膜样品具有很好的电致变色性能.根据薄膜的透射率和反射率分别计算了WO3薄膜的光学带隙:非晶WO3薄膜的带隙为3.31eV,多晶WO3薄膜的带隙为3.22eV.

关 键 词:DC磁控溅射  电致变色  薄膜  光学带隙

WO3 Electrochromic Thin Film Deposited by DC Magnetron Sputtering
HE Yanchun,WU Chunhua,QIU Jiawen.WO3 Electrochromic Thin Film Deposited by DC Magnetron Sputtering[J].Materials Review,2008,22(Z1):318-320.
Authors:HE Yanchun  WU Chunhua  QIU Jiawen
Abstract:
Keywords:WO3
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