| Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT异质结层的结构与二维电子气密度的关系 |
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| 引用本文： | 胡英,周晓华,徐毓龙,赵祖军.Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT异质结层的结构与二维电子气密度的关系[J].微纳电子技术,2001,38(2):46-49. |
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| 作者姓名： | 胡英 周晓华 徐毓龙 赵祖军 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学技术物理学院,陕西,西安,710071 |
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| 摘 要： | 从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个 n沟 Si/Si1-x Gex HEMT异质结层的原理及方法 ,对 K.Ismail器件进行了分析和计算 ,所得 2 DEG的 ns与实验结果基本相符 ,并利用该设计理论对 K. Ismail器件的异质结结构进行了优化改进 ,提高了器件 2 DEG的 ns。
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| 关 键 词： | 半导体异质结 晶格匹配 能带阶跃 结构设计 二维电子气密度 |
| 文章编号： | 1001-5507(2001)02-0046-04 |
| 修稿时间： | 2000年9月28日 |
Relation of heterojunction structure of Si/Si1-xGex HEMT and 2DEG density |
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| HU Ying,ZHOU Xiao hua,XU Yu long,ZHAO Zu jun.Relation of heterojunction structure of Si/Si1-xGex HEMT and 2DEG density[J].Micronanoelectronic Technology,2001,38(2):46-49. |
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| Authors: | HU Ying ZHOU Xiao hua XU Yu long ZHAO Zu jun |
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| Abstract: | The principle and method of designing n Si/Si 1- x Ge x HEMT heterojunction from the lattice match and the energy band discontinuity points has discussed in this paper,the HEMT repor ted by K.Ismail has analysed,and obtained 2DEG density n s essentially according with the experiment data,final the design of the heterojunction of K.Ismails HEMT is improved to get a higher 2DEG density n s. |
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| Keywords: | semiconductor heterojunction lattice match energy band discontinuity structure design 2DEG density |
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