| 工艺参数对射频磁控溅射PTFE靶形成的等离子体组成的影响 |
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| 引用本文： | 唐光泽,马欣新,孙明仁.工艺参数对射频磁控溅射PTFE靶形成的等离子体组成的影响[J].中国表面工程,2007,20(1):35-37. |
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| 作者姓名： | 唐光泽 马欣新 孙明仁 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 采用四极质谱仪测量了试验参数对高压脉冲增强射频磁控溅射PTFE靶等离子体气氛的影响规律。结果表明：增加脉冲偏压、脉冲频率、脉宽、射频功率和气压能提高Az离子对PTFE靶的溅射能力，增加空间中氟碳自由基的数量，其中各参数对峰位位于25．0aum处的氟碳自由基强度影响最大：脉冲电压从10kV提高到20kV能将该峰强度提高2倍；脉宽从40s提高到100μs强度提高80倍；频率从50Hz提高到200Hz强度提高4倍；溅射气压由0．1Pa提高到0.3Pa强度提高6倍；射频功率由200W提高到400W强度提高6倍。励磁电流能有效的约束氟碳自由基的空间分布。
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| 关 键 词： | 射频溅射 脉冲偏压 氟碳自由基 |
| 文章编号： | 1007-9289(2007)01-0035-03 |
| 修稿时间： | 2006-09-20 |
The Effect of Process Parameters on Plasma Environment of RF Magnetron Sputtering PTFE Target With Negative Pulse- Voltage Bias |
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| TANG Guang-ze,MA Xin-xin,SUN Ming-ren.The Effect of Process Parameters on Plasma Environment of RF Magnetron Sputtering PTFE Target With Negative Pulse- Voltage Bias[J].China Surface Engineering,2007,20(1):35-37. |
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| Authors: | TANG Guang-ze MA Xin-xin SUN Ming-ren |
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| Affiliation: | Department of material science and engineering, Haerbin institute of technology, Haerbin 150001 China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF sputtering pulsed bias fluorocarbon radical |
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