| 基于MOSFET设计优化的功率驱动电路 |
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| 引用本文： | 李小艳,武振宁,李方军. 基于MOSFET设计优化的功率驱动电路[J]. 电子元器件应用, 2012, 0(Z1): 17-18,24 |
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| 作者姓名： | 李小艳 武振宁 李方军 |
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| 作者单位： | 西安电子工程研究所 |
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| 摘 要： | 在分析了功率MOSFET其结构特性的基础上,讨论驱动电路的设计,从而优化MOSFET的驱动性能,提高设计的可靠性。
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| 关 键 词： | MOSFET 急聚点 损耗 |
Based on the MOSFET design optimization of power drive circuit |
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| LI Xiao-yan,WU Zhen-ning,LI Fang-jun. Based on the MOSFET design optimization of power drive circuit[J]. Electronic Component & Device Applications, 2012, 0(Z1): 17-18,24 |
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| Authors: | LI Xiao-yan WU Zhen-ning LI Fang-jun |
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| Affiliation: | (Xi’an Institute of electronic engineering,Xi’an 710100) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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