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| 离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度 | |
| 引用本文： | 刘爽,宁永功,杨忠孝,陈艾,熊平,杨家德. 离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度[J]. 半导体学报, 2000, 21(10): 1024-1027 |
| 作者姓名： | 刘爽 宁永功 杨忠孝 陈艾 熊平 杨家德 |
| 作者单位： | [1]电子科技大学信息材料工程学院 [2]重庆光电技术研究所 |
| 摘 要： | Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应 ,用 Ar气保护热处理消除注入损伤 ,附加掩膜层控制离子注入深度 ,成功地将 Pt Si肖特基二极管的势垒高度降低到 0 .1 5e V. |
| 关 键 词： | PtSi 肖特基二极管 势垒高度 离子注入 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)10-1024-04 |
| 修稿时间： | 1999-08-16 |
Reducing Barrier Height of PtSi Schotty Diode Using Ion Injection Doping |
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| LIU Shuang,NING Yong|gong,YANG Zhong|xiao and CHEN Ai. Reducing Barrier Height of PtSi Schotty Diode Using Ion Injection Doping[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(10): 1024-1027 | |
| Authors: | LIU Shuang NING Yong|gong YANG Zhong|xiao CHEN Ai |
| Abstract: | The cutoff wavelength and the quantum efficiency of PtSi infrared detector are restricted by its Schottky barrier height. A technique is developed of doping In++ and B++ at the PtSi/Si interface to reduce the barrier height to 0 15eV. Higher doping ion concentration and thin p + layer can avoid the tunneling effect. Annealing in Ar atmosphere relieves the doped defect, and additional mask layer controls the depth of ion doping. |
| Keywords: | PtSi Schottky diode barrier height ion injection doping method |
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