| 定域SOI区熔再结晶研究 |
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| 引用本文： | 柳连俊,钱佩信,张宗铭,潘子康,李志坚.定域SOI区熔再结晶研究[J].半导体学报,1989,10(11):840-845. |
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| 作者姓名： | 柳连俊 钱佩信 张宗铭 潘子康 李志坚 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 北京
(柳连俊，钱佩信，张宗铭，潘子康)，清华大学微电子学研究所 北京(李志坚) |
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| 摘 要： | 用高频感应石墨条作为红外辐射热源,对淀积在二氧化硅衬底上的多晶硅进行了区熔再结晶.再结晶后硅膜晶粒宽度可达几百微米甚至几毫米以上,长度可在区熔扫描方向延伸到样品尺度.在晶粒中存在大量间隔约10-50μm的亚晶界.采用热沉技术及多晶硅膜厚调制技术对亚晶界进行了定域限制,达到了非常好的效果.TEM分析表明再结晶后硅膜呈100]晶向.SEM观察表明再结晶后样品具有平整的表面及界面.Raman谱测量表明区熔再结晶后硅膜中张应力很小,约为0.9×10~9 dyne/cm~2.
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| 关 键 词： | SOI 亚晶界 定域区熔 VLSI |
Locallized Zone-Melting Recrystallization of Polycrystalline Silicon Films on Silicon Dioxide |
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| Liu Lianjun/Institute of Microelectronics,Qinghua UniversityTsien Peihsien/Institute of Microelectronics,Qinghua UniversityZhang Zongming/Institute of Microelectronics,Qinghua UniversityPan Zikang/Institute of Microelectronics,Qinghua UniversityLi Zhijian/Institute of Microelectronics,Qinghua University.Locallized Zone-Melting Recrystallization of Polycrystalline Silicon Films on Silicon Dioxide[J].Chinese Journal of Semiconductors,1989,10(11):840-845. |
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| Authors: | Liu Lianjun/Institute of Microelectronics Qinghua UniversityTsien Peihsien/Institute of Microelectronics Qinghua UniversityZhang Zongming/Institute of Microelectronics Qinghua UniversityPan Zikang/Institute of Microelectronics Qinghua UniversityLi Zhijian/Institute of Microelectronics Qinghua University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Locallized zone-melting recrystallization SOI Subgrain boundary |
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