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非对称型IGBT击穿电压的数值分析
作者姓名:高玉民
作者单位:西安交通大学
摘    要:根据数值计算结果,提出了一种简便又相当精确的设计非对称IGBT击穿电压的方法。

关 键 词:击穿电压 计算方法 双极晶体管
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
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