| 分子束外延CdTe（211）B／GaAs（211）B的特性研究 |
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| 引用本文： | 陈世达,林立,何先忠. 分子束外延CdTe（211）B／GaAs（211）B的特性研究[J]. 红外与激光工程, 1995, 0(6) |
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| 作者姓名： | 陈世达 林立 何先忠 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所 |
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| 摘 要： | ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ是ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的重要替代衬底材料。用Ｘ双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ的晶体结构质量，表明外延膜晶体结构完整，具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性，观察到ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ相对于ＧａＡｓ（２１１）Ｂ向着［１１１］方向倾斜一个小角度（约３°），界面的四面体键网发生扭曲，由于晶格失配，在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了ＧａＡｓ衬底中的Ｇａ和Ａｓ向ＣｄＴｅ外扩散的情况。结果表明：如果要在ＧａＡｓ衬底上生长ＨｇＣｄＴｅ外延膜，必须先生长一层具有一定厚度的ＣｄＴｅ来阻止Ｇａ和Ａｓ向ＨｇＣｄＴｅ的外扩散和失配位错的延伸。
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| 关 键 词： | 蹄化镉／砷化镓外延膜；双晶衍射；光致发光；透射电镜；二次离子质谱分析仪 |
THE STUDY OF CdTe(211)B/GaAs(211)B CHARACTEKIZATION GKOWN BY MBE |
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| Chen Shida, Lin Li, He Xianzhong. THE STUDY OF CdTe(211)B/GaAs(211)B CHARACTEKIZATION GKOWN BY MBE[J]. Infrared and Laser Engineering, 1995, 0(6) |
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| Authors: | Chen Shida Lin Li He Xianzhong |
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| Affiliation: | North China Institute of Electro-optics Beijing 100015 |
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| Keywords: | CdTe/GaAs epilayer Double crystal rocking curve Photo lumimscence Transmitted electron microscope SIMS |
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