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| 八毫米单调谐体效应管振荡器 | |
| 引用本文： | 秦洪桂. 八毫米单调谐体效应管振荡器[J]. 固体电子学研究与进展, 1984, 0(1) |
| 作者姓名： | 秦洪桂 |
| 摘 要： | <正> 南京固体器件研究所研制成的八毫米单调谐体效应管振荡器采用Kurkawa提出的传输腔稳频电路,由一个TE_(011)模式的高Q腔进行稳频,以满足微波通讯设备对噪声及频率稳定度的要求。 振荡器中的体效应二极管安装在同轴线的末端,同轴线的另一端接由羧基铁制成的吸收体,同轴线的中段与高Q腔耦合,高Q腔通过小圆孔同外负载耦合。 为了改善振荡器的频温系数,除了选择频温系数小的体效应二极管外,主要途径是提高谐振腔的Q值(这对降低调频噪声也是有益的),另外应选择低膨胀系数的金属材料制作腔体。 该振荡器经过一年时间的研制,获得了良好的性能。其特点是受负载影响小,无跳模问 |
A 8mm Band Single Tuned Gunn Diode Osciljator |
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