| 重掺硅衬底材料中氧沉淀研究进展 |
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| 引用本文： | 张红娣,刘彩池.重掺硅衬底材料中氧沉淀研究进展[J].半导体技术,2004,29(6):76-79. |
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| 作者姓名： | 张红娣 刘彩池 |
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| 作者单位： | 河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130;河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130 |
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| 摘 要： | 对国内外在重掺硅中氧沉淀方面的研究做了综合阐述,对氧沉淀研究现状和存在问题进行了讨论,同时就热处理,掺杂剂对氧沉淀的影响做了浅析,使人们对重掺硅衬底中氧沉淀这一领域有更深的认识.
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| 关 键 词： | 重掺硅 氧沉淀 掺杂剂 退火 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)06-0076-04 |
| 修稿时间： | 2003年5月16日 |
Development on oxygen precipitation in heavily-doped Si |
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| ZHANG Hong-di,LIU Cai-chi.Development on oxygen precipitation in heavily-doped Si[J].Semiconductor Technology,2004,29(6):76-79. |
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| Authors: | ZHANG Hong-di LIU Cai-chi |
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| Abstract: | In order to make people further understand the behavior of oxygen precipitation inheavily-doped Si and serve the industry of micro-electronics, the studies of oxygen precipitation inheavily doped Si in the world are summarized. Development and problems at present are discussedsimultaneously, and effects of heat treatment and dopants on oxygen precipitation are analyzed. |
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| Keywords: | heavily-doped Si oxygen precipitation dopant heat treatment |
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